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A Product Line of
Diodes Incorporated
DMP21D0UFB4
1.0
0.8
0.9
0.7
V GS = -4.5V
0.8
0.6
0.7
0.6
0.5
0.4
V GS = -1.8V
V GS = -2.5V
0.5
0.4
0.3
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0.3
0.2
0.1
V GS = -4.5V
0.2
0.1
T A = -55°C
0
0
0.4 0.8 1.2 1.6
2.0
0
0
0.4
0.8 1.2 1.6
2.0
1.7
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 5 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.8
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 6 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
0.7
1.5
0.6
1.3
1.1
V GS = -5.0V
0.5
0.4
V GS = -2.5V
I D = -250mA
0.9
I D = -500mA
0.3
0.7
0.5
-50
V GS = -2.5V
I D = -250mA
-25 0 25 50 75 100 125 150
0.2
0.1
0
-50
V GS = -5.0V
I D = -500mA
-25 0 25 50 75 100 125 150
1.4
1.2
1.0
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 On-Resistance Variation with Temperature
2.0
1.8
1.6
1.4
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 8 On-Resistance Variation with Temperature
0.8
I D = -1mA
1.2
T A = 25°C
1.0
0.6
0.4
I D = -250μA
0.8
0.6
0.4
0.2
0.2
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 9 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
0
0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 10 Diode Forward Voltage vs. Current
DMP21D0UFB4
D atasheet number: DS35279 Rev. 3 - 2
4 of 7
www.diodes.com
February 2012
? Diodes Incorporated
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